Noticimat: 10

 

 

Título: Inferencia estadística vía procesos estocásticos

Ponente: Ramsés Mena Chávez

Lugar: Auditorio José Ángel Canavati

Hora: 16:00 hrs.

Resumen: La inferencia estadística, típicamente se sustenta en supuestos de dependencia y distribucionales inherentes a modelos paramétricos. A su vez, estos supuestos conllevan a limitaciones filosóficas, de implementación y potenciales predicciones. En esta plática se presentará un enfoque que resuelve algunas de estas controversias. La idea básica se fundamenta en el uso de distribuciones aleatorias cuya construcción, estudio y aplicación recae fuertemente en la teoría de procesos estocásticos. Se presentarán algunos resultados en ejemplos reales.

 

 

 

Título: Hermitian bilinear forms for singularities

Ponente: Mohammad Reza Rahmati

Lugar: Salón 5 de posgrados

Hora: 12:30 hrs.

 

 

Título: Por confirmar

Ponente: Roberto Bárcenas Curtis

Lugar: Salón 1

Hora: 13:00 hrs.

Resumen: Aunque el riesgo es parte central en diversas áreas de las finanzas modernas, por ejemplo en teoría de portafolios se mide por las varianzas y covarianzas de los rendimientos, no fue sino hasta décadas recientes que investigadores en economía financiera comenzaron a utilizar explícitamente la variación en el tiempo en momentos de segundo orden y superiores para modelarlo. A partir de esa idea surgen modelos con heteroscedasticidad condicional en aplicaciones donde la meta es analizar y pronosticar  volatilidad, una variable clave entendida en ese contexto como la varianza condicional del rendimiento de un instrumento financiero dada la información disponible del pasado.  

 

En el modelo autoregresivo con heteroscedasticidad condicional (ARCH) Engle [1982] propuso una forma sistemática para analizar la volatilidad, luego Bollerslev [1986] introdujo los procesos GARCH, refiriéndose a la generalización ARCH. De ellos se desprenden un gran número de variaciones, bajo ciertas condiciones específicas y  asimetría, de las cuales las más influyentes han sido: ARCH en media (ARCH-M) de Engle, Lilien y Robins [1987], GARCH integrado (IGARCH) por Bollerslev y Engle [1986]  y GARCH exponencial (EGARCH) por Nelson [1991].   

 

 

Entre sus aportes destacan el descubrimiento de que para algunas familias de modelos, lineales o no lineales, es posible especificar un proceso estocástico para los términos de error en series de rendimientos de instrumentos financieros y predecir el tamaño promedio de ellos; y la introducción de herramientas para la toma de decisiones en áreas tales como selección de portafolios, administración de riesgos y valuación de instrumentos financieros. 

 

El objetivo de la presentación es brindar un panorama de los modelos ARCH/GARCH y concluir con un ejemplo considerando una serie de datos provenientes del sistema financiero de México.

 

 

 

Título: Algunos problemas de optimización numérica en Ciencias Naturales y Exactas

Ponente: Alonso Ramírez Manzanares, Depto. de Matemáticas, Universidad de Guanajuato

Lugar: Salón Diego Bricio Hernández

Hora: 11:00 hrs.

Resumen: El objetivo de este seminario es mostrar ideas y avances sobre 3 problemas en el área de CNyE. En particular veremos los retos que se tienen en las áreas de diseño molecular, detección de similaridad molecular, y en la estimación de conectividad cerebral. Se revisarán los modelos matemáticos y las aproximaciones numéricas de optimización asociadas a la solución de los mismos. Finalmente se plantearan algunos retos a futuro los cuales pueden ser interesantes para la comunidad de alumnos.

 

 

 

Título: Educando al niño computacional de Turing

Ponente: Eduardo Morales (INAOE)

Lugar: Salón 2

Hora: 12:30 hrs.

Resumen: Con motivo del centenario del natalicio de Alan Turing, el año pasado se organizaron una seria de pláticas en torno a él, ésta es una de ellas. En su artículo "Computing Machinery and Intelligence" de 1950, Turing, además de proponer su prueba de inteligencia por medio del "juego de imitación", sugiere también que una forma para contar con un agente inteligente capaz de pasar esta prueba, sería construir un niño computacional o "child machine" al cual educar como se educa a un niño. En esta plática vamos a hablar sobre la Prueba de Turing, lo que propone Turing para construir este niño computacional, lo que la comunidad de Inteligencia Artificial ha hecho al respecto, y que tan cerca estamos de lograrlo.

 

 

Título: Optical coherent current control at surfaces: theory of injection current and spin generation

Ponente: Bernardo Sandoval (CIO)

Lugar: Salón Diego Bricio Hernández

Hora: 12:30 hrs.

Resumen: We present a study of optical coherent control of injection currents and spin generation at surfaces. First we show that the injection current is a new optical effect that will serve as a surface sensitive probe of fundamentally and technologically important cubic semiconductors with both bulk inversion symmetry, (such as cubic diamond 6m2 or 6), and non-centrosymmetric systems, (such as zinc-blende symmetry 43m). In crystals with any of these symmetries, this effect ishes in the bulk, but it is allowed in surface regions due to the breaking of the bulk symmetry there. We present the results of ab initio calculations for injected currents at prototypical clean and Sb-covered GaAs(110)(1 × 1) and clean Si(111)(2 × 1) surfaces, which have well understood and experimentally reproducible reconstructions. The effects are shown to be essentially sensitive to surface structure, and the injected currents can be interpreted in terms of the surface electronic structure. Calculated magnitudes indicate that the currents should be easily observable, and the calculated spectra of all of the surfaces demonstrate interesting behavior as a function of the energy of the incident light. Finally, layer-by-layer analysis provide detailed access to the surface properties through explicit separation of the contributions coming from different layers.

Second, we present a study of electron spin-generation onto several semiconductor surfaces due to optical excitation above the direct band gap with circularly polarized light. The chosen examples are the As and In covered Si(111) surfaces, and the clean and Sb covered GaAs(110) surfaces. As in the previous case, we use a full-band electronic structure scheme to calculate the rate of spin and carrier generation, and then calculate the degree of spin polarization up to energies well above the surface modified band gap. Again a “layer-by-layer” analysis of the spin-generation is implemented; the model accounts for the coherences excited in a semiconductor with spin-split bands. We show that the spin-generation could be almost 100% for the As covered Si(111) surface and 90% for the clean GaAs(110) surface. For comparison, in bulk Si and GaAs, the maximum polarization calculated is only 30% and 50%, respectively. The degree of spin polarization for all of the surfaces shows a large signal and an interesting behavior as a function of the photon energy.